by admin admin Không có bình luận

Bảng linh kiện được sử dụng trên GP750 :

GP750 được trang bị mạch lọc nhiễu EMI 2 lớp. Diode cầu là loại GBU1506(15A) được đính trên phiến tản nhiệt tầng PFC&PWM. Tụ chính 420V/390uF tới từ hãng Ltec

Tầng PFC và PWM đều sử dụng loại mosfet OSG55R140F (23A) . Tầng PFC do chạy ở dải điện áp hẹp nên chỉ sử dụng 1 Mosfet đi kèm với boost diode STTH8S06D (8A).  IC dao động Champion CM6805BG sẽ làm nhiệm vụ điều khiển hoạt động cho cả 2 tầng PFC và PWM

Ở Khu vực chỉnh lưu ngõ ra đường 12V chung ta thấy 2 loại đóng gói khác nhau của cùng 1 loại Diode xung (Schottky diode) . 1x MBR40H60PT(TO247) kích thước lớn có nhiệm vụ chỉnh lưu đường 12V từ biến áp chính tạo ra. và 3x MBR40H60CT(TO220AB) có nhiệm vụ “xả” dòng điện được tích trử trong cuộn cảm forward ở chu kỳ mà các Mosfet tầng PWM đang ở trạng thái đóng(off)

Đường 3.3V và 5V được tạo ra từ 2 khối mạch VRM(DC to DC) sử dụng IC dao động APW7073  lái 4 Mosfet Mapple Semi SLM100N03T(100A) . IC này cũng sẽ cung cấp các chế độ bảo vệ cho 2 đường điện này

GP750 sử dụng các tụ lọc đầu ra đều đến từ hãng ChengX với mức nhiệt độ hoạt động tối đa là 105oC . IC giám sát hoạt động là loại Sitronix ST9S313C-SAG là phiên bản chip dán của ST9S313C-DAG cung cấp 3 chế độ bảo vệ cơ bản OVP/SCP/UVP. Đường cấp trước cũng được tạo ra từ 1 IC dán khác là EST2915HP

Phần mạch in của GP750 tương đối sạch do còn 1 số vết flux thừa chưa được tẩy trên bo module VRM(dc to dc) .Các chân linh kiện được cắt tỉa ngọn gàng, mối hàn sáng bóng tuân thủ tiêu chuẩn RoHS

Để lại một bình luận

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *